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芯片的制程的极限在哪里？

dynasty

魔王撒旦

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1^# 大中小发表于 2017-2-9 20:52 只看该作者

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最近听说intel最新工厂已经落实在亚利桑纳fab42，媒体形容为世上最先进的半导体工厂的 Fab 42，将会负责 7nm 芯片产品

据说到1nm已经是极限了，虽然设计跟的上，制造设备，比如光刻机供应商ASML已经吃不消了，现在差不多制造设备、产品同步研制。

本帖最后由 dynasty 于 2017-2-9 20:55 通过手机版编辑

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elia

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2^# 大中小发表于 2017-2-9 20:56 只看该作者

以前说几十NM就极限了，先都几NM了

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旨旨

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3^# 大中小发表于 2017-2-9 21:01 只看该作者

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原帖由 @elia 于 2017-2-9 20:56 发表
以前说几十NM就极限了，先都几NM了

以前就是说20nm极限，所以出现了finfet才有突破

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532

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4^# 大中小发表于 2017-2-9 21:21 只看该作者

印象里硅原子的直径（或者说单晶硅的键距？）大约是0.1nm

几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木，中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了，想想都可怕

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旨旨

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5^# 大中小发表于 2017-2-9 22:07 只看该作者

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原帖由 @532 于 2017-2-9 21:21 发表
印象里硅原子的直径（或者说单晶硅的键距？）大约是0.1nm

几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木，中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了，想想都可怕

0.1nm是氢原子，不是硅原子

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fatehe

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6^# 大中小发表于 2017-2-9 22:35 只看该作者

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软件算法没跟上？

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sfexpress

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7^# 大中小发表于 2017-2-9 23:14 只看该作者

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原帖由 @fatehe 于 2017-2-9 22:35 发表
软件算法没跟上？

微观领域，宏观世界的欧姆定律不适用了，要用到量子理论。

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riva128

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8^# 大中小发表于 2017-2-9 23:29 只看该作者

单位可以一直换的
就跟以前用微米一样，接下来还会有0.xx纳米工艺，然后再换个单位

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532

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9^# 大中小发表于 2017-2-10 09:28 只看该作者

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原帖由旨旨于 2017-2-9 22:07 发表
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0.1nm是氢原子，不是硅原子

https://www.zhihu.com/question/26713551

大约110pm，0.11nm

氢原子本身单个原子的时候体积是大，有共价键以后直接缩一大圈了，硅原子这种算的应该也是单晶硅那种键距，直接测了密度就能算出来

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zenodante

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10^# 大中小发表于 2017-2-10 09:29 只看该作者

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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺基本上5nm就是底线了因为量子隧道效应再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法怎么做到大规模还是一个问题现在只能做出几个晶体管来做测试

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11^# 大中小发表于 2017-2-10 09:59 只看该作者

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原帖由 zenodante 于 2017-2-10 09:29 发表
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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺基本上5nm就是底线了因为量子隧道效应再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法怎 ...

我感觉这类材料要是能造出连续延展的宏观可视级别的尺寸，基础材料行业估计会先比半导体行业炸锅啊，三体里面那个什么古筝行动也不是科幻了

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achen126

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12^# 大中小发表于 2017-2-10 10:01 只看该作者

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Alloyo

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13^# 大中小发表于 2017-2-10 10:15 只看该作者

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垂直记录让传统机械硬盘又续命10年，接下来的双层至多层磁盘记录能让容量翻2-8倍，机械硬盘又续命20年

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shui192168

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14^# 大中小发表于 2017-2-10 12:55 只看该作者

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技术进步和产品上市没啥关系。有1nm的技术，但未必会有相应的产品上市。

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