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[电脑] OCZ sandforce 这指标也太坑爹了吧(转型为储存器知识介绍贴)

[color=DarkRed][size=2]posted by wap, platform: iPhone[/size][/color]

60GB Max Performance*

    * Max Read: up to 525MB/s
    * Max Write: up to 475MB/s


淘宝挑SSD,无意中看到OCZ的指标。。。一直听说sandforce水分大,60G写数据能这么夸张,火星科技么
上次问了做ssd的同事,说我们自己的64G写只能做到70多,原因是因为60G容量小,nand die的数量少,并行写入的速度是和die的数量成比例的。

用过的朋友说说看啊,实际速度是多少?

[i] 本帖最后由 cloudius 于 2011-6-6 10:21 通过手机版编辑 [/i]


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http://item.taobao.com/item.htm?id=10417842857&

淘宝卖家没标错吧
惊了!湿了!喷了!


查了下美国新蛋,貌似正常了一点。。。
Performance
Sequential Access - Read
    Up to 230 MB/s
Sequential Access - Write
    Up to 135 MB/s
    Sustained Write: Up to 70MB/s

[ 本帖最后由 cloudius 于 2011-6-5 23:55 编辑 ]



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引用:
原帖由 @纸冰心  于 2011-6-6 08:33 发表
  Intel 0.59%
Crucial 2.17%
Crucial 2.25%
Kingston 2.39%
OCZ 2.93%

OCZ应该改名叫orz还差不多
这是什么?返修率?


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posted by wap, platform: iPhone

地铁上,无聊...随便写点基础知识吧,希望对大家有帮助
为什么dram和nand,ssd都是写入慢读出快?
拿一个bit举例,写的时候需要通过sense amplify改写存储单元内的数值,但是读的时候就不需要,我只要把wordline and cs打开,(可以理解为控制存储单元横向和纵向的两个开关,两个都开了才能写数据进入),就可以读数据了。所以主要差别就是存储单元的改写...

nand process一直比dram先进两代左右,为什么?
不是因为nand速度慢,而是因为nand的存储单元工艺上稳定好做,而dram的存储单元工艺上更加复杂。现在主流ssd都是28nm。dram相应的主要在43nm以上
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  • dizhang 激骚 +1 版务处理 2011-6-6 11:24

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