近日，美光(Micron)发布了其创新内存技术Hybrid Memory Cube（混合内存立方体，以下简称HMC），并声称这是内存领域的重要技术突破，其单颗HMC内存芯片的性能将是普通DDR3内存芯片的20倍。
　　HMC技术采用的是堆叠封装技术，将多层DRAM和1一层逻辑电路共同封装，并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层其重要作用，其将扮演内存控制器的角色，以超高带宽总线与CPU连接。
　　根据美光内存业务副总裁Brian M.Shirley表示，如今内存已经成为了电脑系统瓶颈之一，但归根到底是内存与CPU之间的总线带宽不足，内存芯片的数据无法即使传送至CPU进行处理。HMC技术将为电脑系统带来超高的内存总线带宽，这方面的系统瓶颈将不再存在。
　　据称，HMC内存芯片的性能将是DDR3内存芯片20倍以上，同时功耗和体积仅现有DRAM内存芯片的十分之一。HMC技术将首先应用于超级计算机等高性能领域，预计在2015-2016年进入消费级市场。

http://www.micron.com/innovations/hmc.html



[ 本帖最后由 cloudius 于 2011-2-14 22:08 编辑 ]

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原帖由 @死海  于 2011-2-15 04:14 发表
对于非专业领域来说现在的瓶颈根本不是内存速度吧

从ddr3开始，内存和cpu间的通信已经比内存本身的速度慢了，所以从ddr2到ddr3，实际对系统速度的提升并不大。hmc是为了内存与cpu解决通信间的瓶颈，不是单纯提高内存速度.
明后年商用，两年后民用...