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AMD yes。3D VCACHE 年底上,游戏性能提高15%,FSR年中上游戏性能提高50%到两倍

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原帖由 卖哥 于 2021-6-1 17:07 发表
太少了,3d堆叠频率要降一截,加那么点基本原地不动。
缓存单独一个核心,缓存堆叠又不影响到核心,最多就是延迟慢点。
厚度可以忽略不计,SSD都堆叠到一百多层也没见多厚。


[ 本帖最后由 bikkibakki 于 2021-6-1 17:43 编辑 ]


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原帖由 卖哥 于 2021-6-1 17:49 发表
影响的,这个缓存是打孔垂直接到芯片上的,直接阻断芯片散热路径
散热靠顶盖散热又不是靠基板散热,你说农业堆核过多,台积电5mn容易积热降频这理由还差不多
打孔影响散热,扯淡



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原帖由 lakins 于 2021-6-1 20:14 发表
posted by wap, platform: iPhone
这个是坐在ccd上面的吧?
不是,另外一个核心,在原来iodie的旁边


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引用:
原帖由 lakins 于 2021-6-1 20:20 发表
posted by wap, platform: iPhone
啥?你搞错了,你那样的玩意还能叫3d堆叠?
说错,中间缓存堆叠,两边核心

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