工艺当时遇到了瓶颈。
保持工艺等比缩小的话，栅层太薄了，漏电无法解决，直到45nm节点应用了HKMG技术。

你觉得90nm差，但实际上相比没有应用HKMG的平面65nm工艺，性能是更好的。

[ 本帖最后由 卖哥 于 2023-4-7 09:55 编辑 ]

类似90-65倒退，65-45大提升的事情。
也发生在FinFET应用前后的28-20倒退，20-16大提升上。

引用:

原帖由 SSforME 于 2023-4-5 15:32 发表

然而65nm的ps360确实没有90nm必死的情况了

那也主要是封装材料问题而非功耗过大。