银河飞将
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原帖由 @u571 于 2019-12-25 09:23 发表 看制程吧,3nm目前纸面性能还是挺厉害的,按照台漏电官方路线图,3nm晶体管密度至少是7nm的4倍,性能可提升45%55% 4年以后应该也是3nm的成熟期,中期升级性能提升4倍以上还是可以预期的
原帖由 @u571 于 2019-12-25 09:47 发表 3nm以下才需要肯定修改晶体管结构,3nm本身用Finfet是可以做的,要不然台漏电这么会2022年宣称商业量产