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[新闻] 传言:三星即将扩产DRAM,全球内存产能恐飙20%

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原帖由 卖哥 于 2017-11-5 09:56 发表
posted by wap, platform: Meizu M9
那也可以推ddr4-3600甚至4000标准,靠工艺优势带来的性能优势赚溢价。
PC那点量能有什么影响,DRAM大头是手机内存,LPDDR4工艺难度比桌面DDR4低多了

国内厂商只要能吃到手机低压低频内存市场,三棒就要头痛了


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原帖由 卖哥 于 2017-11-6 14:09 发表
posted by wap, platform: Meizu M9
移动就更简单了,和芯片直连意味着换代轻松得多,完全可以尽快上hbm。
移动要HBM干嘛?人家都早用上更先进的3D堆叠了



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原帖由 卖哥 于 2017-11-6 15:17 发表
posted by wap, platform: Meizu M9
hbm消除了缓冲倍频传输的设计,总线和芯片同步运行,技术上是倒退,但是作为总线位宽足够堆叠内存来说反而更纯粹,低频传输也降低了重要的功耗。

hbm的终极形态3d封装也最有可 ...
hbm谁告诉你没有缓冲倍频传输的?HBM2已经是4倍频设计,未来HBM3都可能是8倍频率设计

所以老黄去年就说过了,HBM系的能耗比优势随着等效频率大幅增加,会大幅降低。


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原帖由 卖哥 于 2017-11-6 16:06 发表
posted by wap, platform: Meizu M9
真是这个趋势的话还不如当初选择hmc呢。
所以为什么HBM到现在都没有得到推广就在于此,大家都看到了HBM发展天花板其实很低,成本又很高

英特尔和老黄在服务器产品中使用HBM2主要也不是因为带宽和能耗比,而是HBM又一个特性非常适合服务器,HBM天生自带免费ECC校验

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原帖由 卖哥 于 2017-11-6 17:06 发表
posted by wap, platform: Meizu M9
在我认知中hbm的未来应该是直接在soc的cpu、gpu等需要储存的部件正上方打孔,直接连接定制的储存芯片。
现在苹果产品都是DRAM直接封装在SOC上面

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