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[电脑] QLC要来了,写入寿命150次!

在日前的FMS国际闪存会议上,Facebook分享了他们对数据存储的一些观点,上图中列举了四种不同类型的存储方式,包括NVM非易失性存储器、AVA(四快M2.22110组成)、Lightning及WORM,最后的这个WORM代表Write Once Read Many(写入一次、读取多次),也就是说这种存储设备对写入寿命要求不高,读取应用比较多。

根据Pcper网站所说,这个WORM存储使用的就是QLC闪存,我们知道TLC闪存指的是每个Cell单元存储3位数据,有8个电位变化,那么QLC就是每单元存储4位数据,有16个电位变化,一方面这意味着QLC闪存的容量更大,但也意味着QLC闪存的电压控制更难,写入速度更低,可靠性要求更高。

WORM存储的容量可达100TB,差不多是目前TLC闪存硬盘最高容量的10倍,但它的写入次数也降低到了150次左右,也相当于目前TLC闪存的1/10。

150次寿命这个貌似很难民用化吧?


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引用:
原帖由 小菜包子 于 2016-8-11 18:22 发表
posted by wap, platform: iPhone
应用场景不一样啊,这种用于冷数据备份确实不错
想了半天,大概是音频、图片和视频服务器用还不错,这类都是读取几率远超写入



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引用:
原帖由 查理王 于 2016-8-12 06:19 发表
posted by wap, platform: 红米Note3
这明明就是给游戏卡用的啊
喷了,给游戏卡带用那才是大材小用了,QLC读取延迟只有机械硬盘的十分之一,极为适合读取量比写入量大的场合。


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