看制程吧，3nm目前纸面性能还是挺厉害的，按照台漏电官方路线图，3nm晶体管密度至少是7nm的4倍，性能可提升45%-55%

4年以后应该也是3nm的成熟期，中期升级性能提升4倍以上还是可以预期的

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原帖由 卖哥 于 2019-12-25 09:39 发表
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3nm有gaa天堑，现在谁也不敢保证自己过得去。
实际上台积电能按时拿出来的极有可能是finfet的3nm，那应该会是和20nm差不多的玩意，实际性能不如5nm。

3nm以下才需要肯定修改晶体管结构，3nm本身用Finfet是可以做的，要不然台漏电这么会2022年宣称商业量产