台积电20nm实际性能还不如28nm HPM！

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《转帖》
台积电的20nm是由28nm改进而来，最大的差别在于采用了双重曝光，FEOL前端部分则与28nm基本维持一致，因此在核心面积与功耗方面的改善有限。
而16nm是在20nm的基础上加入FinFET技术而成，20nm工艺作为半代工艺，其实是为了16nm做的前期投资与试产，其本身就是一种过渡工艺。


那么最终不同制程工艺的效果如何呢？看看下面的图大家就知道了，对于核心面积比较小的手机而言，20nm制程甚至还不如成熟的28nm HPM制程。
因为台积电20nm单位面积功耗是最高的，也就是单位面的发热是最高，发热的集中造成散热压力非常的大，除非x25搞大面积大核心，不然功耗表现甚至不如28nm HPM。相比28nm HPM的优势仅在小核低频情况下，整体功耗要比28nm HPM好，因为发热量不大，即使集中一点也无所谓。
然而大多数采用20nm的soc，面积都是偏小的，面积最大的cpu是苹果a8家族，就算这样，能耗比也不如a7和a9，air2的续航几乎是ipad家族倒数第一。

即使是使用20nm的高通的810，这个soc也成为了高通soc家族的笑话，也因此丢失了很大的市场份额，其原因就是20nm制程的发热集中导致必须得快速降频，真正的三秒就泄。这也开了手机上热管、水冷的先河。
这也是为什么x25的大核除了跑分的时候，基本都不开的原因，一开就必须得降频，发热压不住。这也是为什么明明x25的gpu和海思的一样，但游戏性能远远不如的原因。相比之下，使用28nm HPM的高通650 652反而能在游戏性能上表现不错，散热比20nm的更容易。


所以联fuck的X20大核A72单核功耗轻松破4瓦，某族X25手机A72除了跑分根本都不上线就一点都不奇怪了

因为X20实际性能还不如晓龙650