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rdna1

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主机研发都是从当前世代发售以后就开始了，怎么可能最后再定规格，要说小幅改进是可能的，比如最后根据良率从9.2调到10.2，芯片是断然不可能改的

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原帖由 @kyozero  于 2020-10-11 08:15 发表
不如说SONY的PS设计部门对性能要求都比较保守，认为消费者够用就行了，跟自家手机部门一个德行，不跟市场的
主流走，性能上每次出新品都比市面上同价位的对手低能一档，这次被MS在性能上打了个措手不及

没啥用，性能最强鬼面兽，开发能力跟不上毛用没有，再说现在画面走到边际效应了，差那点浮点，连digital foundry都说下世代要改变数毛方法了，没毛可数

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rdna2改进了高频性能，可以跑到2.2g以上，所以，xsx是rdna1，ps5是rdna2，这样比较合理

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快速切换功能，会大幅增加写入操作，对SSD来说就是加快消耗，减少寿命，降低性能。
这个功能说实话不是也那么刚需。

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原帖由 @darkgame  于 2020-10-11 16:25 发表
对PS5说去吧, 既然PS5 SSD比XSX快, 那同样玩1小时游戏, 岂不是PS5 SSD减少更多寿命?

写入操作减少寿命

本帖最后由 lakins 于 2020-10-11 16:30 通过手机版编辑

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原帖由 @darkgame  于 2020-10-11 17:34 发表
大量读取一样对寿命有影响, 虽然影响幅度小于写入, 但你要说到xsx的写入对ssd有多少影响, 其实也没多少, 而且xsx的ssd比ps5更大, 理论寿命也更长.
https://www.quora.com/DoSSDsha ... stillusethedrive

读取干扰的发生频率为十万分之一，而tlc闪存的擦写p/e只有500-1000，虽然严格上来说也能用很久，但坏快多到一定程度，性能就会下降很严重。主机最少服役5到10年，自然是能缩短寿命和降低性能的行为能避免就避免为好。
  本质上，nand闪存就是个不稳定存储，只能先擦除后写入，比hdd复杂很多，所以必须有闪存控制器采用垃圾回收等技术最大化延长闪存寿命和提高性能。Sony为PS5上的SSD系统，申请了两个专利，目的就是最大化稳定的SSD持续和随机性能，最小化性能衰减和寿命缩短。
  而PC上的SSD系统，测试软件大都是理想的理论性能，到了应用环境下，很难稳定发挥，甚至衰减严重。
  xsx的SSD，基本就是PC那套系统拿来直接用，性能能否稳定发挥和寿命如何，还得打个问号。

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原帖由 @变色龙  于 2020-10-12 11:17 发表
我觉得答案已经很明朗了，索尼追求晶体管级别的兼容，所有36CU这个应该是很早就定下来的，但是知道微软肯定会有更强大的SOC方案（Oberon毕竟才300mm2出头），所以把频率定在了在当时看来也很高的2GHZ，这样性能9.2T貌似也不错了。但是没想到微软搞出个52CU的怪物，这下性能差距太大了，于是死命超10T想挽回点场子。我想AMD的smartshift应该是备胎技术，后面迫于无奈才转正的，毕竟动态频率这个技术对PS5 Pro以后的后继机型兼容也是个麻烦。总之，大大小小绝壁算是个设计事故。

那PS6要兼容PS5咋办？cu数目不可能是限制，兼容的话屏蔽一部分即可