魔神至尊
MEMBER
原帖由 @jinye2001 于 2016-3-26 14:47 发表 完全就是一回事,P=UI,大功率要么大电压要么大电流,热损耗和电流电阻成正比
查看详细资料
TOP
原帖由 @jinye2001 于 2016-3-27 20:28 发表 楼上说大电流和发热没关系的是不是都是文科生,初中物理的电学都没学过? 对于一个供电系统来说,电阻一定的情况下,热损耗和电流的平方成正比 所以对于一个大功率的系统设计来说,电阻是无法避免的,而且随着设备的老化,必然是越来越大,所以都会选择高电压小电流。 而且目前为止的电子电路,不管是晶体管还是mos,都是电流越大,热损耗越高。 oppo的充电如何先不说,但是文中电流大发热小的宣传词绝对是不负责任的误导 另外说一句,消费电子电压普遍低并不是安全电压的问题,而是现在半导体工艺的问题,而且soc上的超大规模电路,电压是越来越低
原帖由 @532 于 2016-3-28 21:40 发表 兄弟,usb两头的接触电阻也是起码几十毫欧级别的,我手上有个10微欧分辨力的玩意测过
原帖由 @532 于 2016-3-28 21:55 发表 5v 4a vs 9v 2.2a这类比较,我的疑问不在线损,反正一般线不是太烂的再大也零点几v,充电器带个线补电路就能破了 机器内部的降压电路的安全性跟发热才是我担心的,就是你说的pmu芯片那头的转换效率,手机那点体积,输入2a输出4a这么玩,还能保持在九十多的效率,这黑科技了我觉得,可能我淘宝买过的一些dc dc降压的模块都是山货,我感觉是压差越大效率越低 最后吐槽一下为什么以前的ipad没有快冲233
原帖由 @jinye2001 于 2016-3-28 23:23 发表 既然你说了那么多,对于一个充电系统来说电阻损耗并不只有线缆这一个,usb芯片,你所说的pmu芯片(pmu其实也就是dcdc ldo的整合芯片),这些芯片都有导通电阻,目前的芯片水平usb芯片本身rdson基本在100mohm,dcdc的rdson稍低,也基本都在30mohm左右,另外再算上充电系统里用到的大功率mos,大电流下热量都很可观,所以主流的还是选择的大电压下低电流。 你说快冲时间短发热小,难道高电压低电流的就不是快充了?同功率下高压低电流方案肯定比低压高电流的发热要小 另外你说我上面说的漏洞百出,看你的回答几乎和我说的搭不上边,反正我就是想说一点,高功率系统下高电压低电流方案肯定比低电压高电流方案的热损耗要小
原帖由 @jinye2001 于 2016-3-28 23:58 发表 没关系? 你充电电源pmu的电能哪来的,还不是快冲头那里来的?基本的能量守恒要遵守吧? 低压输入大功率要么就整个系统承受大电流,要么就内部升压,目前升压电路的效率想对降压电路低,效率低也就意味热能耗散增加,不还是一样发热 另外不用拿那些电源芯片的名词来唬人,我本行就是做芯片测试的,其中就包含了电源芯片,天天和这些芯片指标打交道,测试这行当就那么几家在做,所以你用的手机充电宝什么的里面的电源部分芯片出货测试程序说不定还是我写的呢