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[新闻] 检查iPhone6 NAND是否为TLC的方法来了..虽然感觉没啥必要

引用:
原帖由 Goblion 于 2014-11-11 15:20 发表
http://bbs.feng.com/read-htm-tid-8574481.html
需要越狱.
自用的128G iPhone6证实为TLC,TLC写入次数大约500次
不过就算TLC写入次数400好了,那么总数据就算128G*400=51200G
每天写入10G,一年才3650G..完全没啥好 ...
你这种算法前提是主控会把刚擦写过的区域放入可擦写的队列最后。而实际上往往并不是这样的。
并且即使坏一个字节,主控也会把这个字节所在的块整个屏蔽,然后就相当于你的整个闪存容量因为1个字节的损坏而造成了32K(或128K或者512K,具体块大小看主控)的容量缩减,然后随着你剩下的空间的缩小,剩余空间的被读写频率也会上升,造成坏块速度生成的上升,这个上升速度基本会形成一个指数曲线。
在这个损坏过程中,只要运气不好,损坏的地方正好是一个存放系统配置的区域,并且发生了冗余校验无法修复的数据存取错误,那么很有可能就会造成操作系统不正常,导致不能启动、频繁重启、不能使用部分功能等奇怪现象,这些现象的出现时间会远远短于你整个闪存全部出现坏块的时间。

试想一下,如果你的台式机Windows正好装在了有坏块的硬盘分区上,那根本不用等整个硬盘全部出现坏道,你就已经不能正常工作了。。。

所以价格不低,但还是要用TLC,并且用了TLC还配上了区块排序算法垃圾的主控,这点苹果真的洗不了。。。


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