TGFC Lifestyle - Powered by Discuz! Board

标题: [电脑] x25m G2 80G host writes 这个值的大限是多少？ [打印本页]

作者: dreamlost 时间: 2011-3-2 10:03 标题: x25m G2 80G host writes 这个值的大限是多少？

大概估计一下这硬盘的寿命

作者: dreamlost 时间: 2011-3-2 10:31

猛操也得有个概念吧...
比如在SSD上装个虚拟机挂迅雷呢？

作者: catxing 时间: 2011-3-2 11:09

有个大拿不是写了个程序一年里面不间断猛艹SSD累计写入了几T的数据还是妥妥的么？

作者: dreamlost 时间: 2011-3-2 12:16

一年才几T数据？几T也没多少东西吧,,,

之前看某篇文章说intel这个能写入15T左右的数据就不行了
后来忘了哪里看到的而且也不知道他这说法有没有依据

作者: 比卡丘 时间: 2011-3-2 12:26

posted by wap, platform: UC

做系统和临时盘那么坏就坏吧

作者: shangchi 时间: 2011-3-2 13:37

按照Intel自己的说法，X-25M的损耗平衡和写入放大都只有1.1，在这个基础上得出这个80GB的理论写入数据量为：

80 x 10000 / 1.1 / 1.1 = 661157GB = 661TB

前两天看新闻说25nm MLC的写入次数从5000次减少到了3000次，那么按照X-25M G2的闪存颗粒也是5000次写入计算的话，就是330TB。

好吧，就算Intel牛皮吹破天，这个数字依然有极度夸大，实际写入量只能达到1/10，那么也有33TB。

33TB什么概念？每天把这块SSD完全清空再完全写入80GB，可以用412天。

你会每天这样折腾一次么？99%用户的系统盘，每天写入数据量恐怕连5GB都不到吧。

结合自己的情况，这玩意能用多久自己考虑:D

作者: shangchi 时间: 2011-3-2 13:42

引用:

原帖由 dreamlost 于 2011-3-2 10:31 发表
猛操也得有个概念吧...
比如在SSD上装个虚拟机挂迅雷呢？

网络下载那点数据写入量算毛……这点恰恰是SSD比HDD强得多的地方
除非你光纤到桌面，一年到头不停地满速下载……

[ 本帖最后由 shangchi 于 2011-3-2 13:44 编辑 ]

作者: 潜水艇的水 时间: 2011-3-2 13:57

纠结党可以看下浴室的实测：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-11842-1-1.html
2010年3月30日，请回了块Intel X25-V 40G Gen2 的SSD，在Trim固件和Win7的支持下，进行耐久度测试。
使用自己编的程序，进行全盘覆写7X24小时折磨，目的：直到写挂为止。
写入的文件模式为A和B：
其中A为持续写入类：
10~100KB占80% （系统缩略图之类）
100~500KB占10%（JPG图片之类）
1~5MB占5% （大的图片，MP3之类）
5~45MB占5% （视频片段之类）
其中B为随机写入类：
1~100字节占100% （系统log之类）
2011年1月14日状态：
全盘写入782.9TB，约等于21569倍，其中随机写入21TB。
CDI里的重映射05增加到5D - 93个。
目前还在折磨中，至此开机了接近7000小时，期间每12小时暂停下进行下Toolbox优化。
看到这些数字，你们谁还纠结耐久度的？从买回来的3月30日开始不关机就在写入，写了快300天了看上去还是稳如泰山。
一般返厂的SSD大多是固件弄坏的，而非颗粒磨损坏的，返回厂里重新开卡（量产）下就能继续用了。

作者: 潜水艇的水 时间: 2011-3-2 13:58

还有,
那个g3要出来了,寿命更高....

作者: shangchi 时间: 2011-3-2 16:19

这事难说……

随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘中使用的34nm MLC NAND闪存的存储单元实际写入寿命大概在5000次左右，而25nm闪存则只有3000次。
　　Intel和美光的合资企业是目前唯一能够量产25nm工艺NAND闪存的厂商，但这两家公司的25nm闪存固态硬盘产品却还没有批量上市。倒是在SSD领域动作频频的OCZ，已经拿出了搭配25nm闪存的SandForce方案Vertex 2系列产品。
　　据已经购得新版本Vertex 2固态硬盘的用户报告，120GB容量的25nm版产品在格式化前的实际容量只有115GB，比之前34nm版本少了5GB.OCZ在官方客服论坛上对此解释称，为了让SSD达到合理的预期使用寿命，他们不得不将预留闪存空间提高了几个GB，因此“120GB硬盘未格式化容量仅有115GB是完全正常的”。
　　对于容量虚标的质疑，OCZ也无奈的表示，固态硬盘内安装的NAND闪存芯片容量总和确实没有改变，因此不存在什么缩水、虚标的问题。5GB的附加容量开销是SandForce控制器的RAISE校验功能决定的，而该功能无法被厂商关闭，因此他们也没有办法改变。

作者: 潜水艇的水 时间: 2011-3-2 17:07

引用:

原帖由 shangchi 于 2011-3-2 16:19 发表
这事难说……

随着半导体制程的进步，NAND闪存的可靠性会明显下降，需要付出更多的代价来满足ECC纠错需求，并预留更多存储单元来用于闪存老化，部分存储单元寿命用尽后的屏蔽、替代问题。比如，目前大量在固态硬盘 ...

光看这种制造工艺导致时间下降每什么意义，
要看intel这种厂家给标出来的实际使用时间。

欢迎光临 TGFC Lifestyle (http://club.tgfcer.com/)