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最近听说intel最新工厂已经落实在亚利桑纳fab42，媒体形容为世上最先进的半导体工厂的 Fab 42，将会负责 7nm 芯片产品

据说到1nm已经是极限了，虽然设计跟的上，制造设备，比如光刻机供应商ASML已经吃不消了，现在差不多制造设备、产品同步研制。

本帖最后由 dynasty 于 2017-2-9 20:55 通过手机版编辑

以前说几十NM就极限了，先都几NM了

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原帖由 @elia  于 2017-2-9 20:56 发表
以前说几十NM就极限了，先都几NM了

以前就是说20nm极限，所以出现了finfet才有突破

印象里硅原子的直径（或者说单晶硅的键距？）大约是0.1nm

几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木，中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了，想想都可怕

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原帖由 @532  于 2017-2-9 21:21 发表
印象里硅原子的直径（或者说单晶硅的键距？）大约是0.1nm

几个nm的话就是说是几十个硅原子堆积木，中间混个杂质原子可能就整个晶体管微观结构击穿漏电了，想想都可怕

0.1nm是氢原子，不是硅原子

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软件算法没跟上？

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原帖由 @fatehe  于 2017-2-9 22:35 发表
软件算法没跟上？

微观领域，宏观世界的欧姆定律不适用了，要用到量子理论。

单位可以一直换的
就跟以前用微米一样，接下来还会有0.xx纳米工艺，然后再换个单位

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原帖由 旨旨 于 2017-2-9 22:07 发表
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0.1nm是氢原子，不是硅原子

https://www.zhihu.com/question/26713551

大约110pm，0.11nm

氢原子本身单个原子的时候体积是大，有共价键以后直接缩一大圈了，硅原子这种算的应该也是单晶硅那种键距，直接测了密度就能算出来

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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺 基本上5nm就是底线了 因为量子隧道效应 再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法 怎么做到大规模还是一个问题 现在只能做出几个晶体管来做测试

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原帖由 zenodante 于 2017-2-10 09:29 发表
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最近用碳管和二硫化钼单层作出了一纳米晶体管
传统硅掺杂工艺 基本上5nm就是底线了 因为量子隧道效应 再往下就是漏电的世界了
通过新的低维材料来搞更小的需要全新的工艺方法 怎 ...

我感觉这类材料要是能造出连续延展的宏观可视级别的尺寸，基础材料行业估计会先比半导体行业炸锅啊，三体里面那个什么古筝行动也不是科幻了

我等量子计算机！:D

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垂直记录让传统机械硬盘又续命10年，接下来的双层至多层磁盘记录能让容量翻2-8倍，机械硬盘又续命20年

SSD革命遥遥无期

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技术进步和产品上市没啥关系。有1nm的技术，但未必会有相应的产品上市。